鈴木 康文

KBr等のアルカリハライド表面に数keVの電子が入射すると，結晶内部で生じた数種の欠陥拡散によって表面原子が脱離する。表面の形状変化を引き起こす脱離は，平坦な表面に１原子層深さのピットを形成する脱離と，表面のステップエッジからの脱離がある。本研究では，これらの欠陥による脱離収量の変化を，表面形状によって変化する高速斜入射陽子の表面散乱強度と陽子散乱軌道計算の結果とを比較して調べた。

アルカリハライド表面に電子が入射すると，結晶内部で数種の欠陥が生じる。一部の欠陥は固体内を拡散して表面付近で欠陥の集合体を形成し，表面原子を刺激脱離させる。電子線照射量に応じて１原子層ずつ剥離するように脱離する。本研究では電子刺激脱離したKBr表面に15keVの陽子を斜入射し，表面原子の脱離周期に応じて振動する散乱強度を調べ，表面下に蓄積する欠陥の評価方法について検討した。

電子線照射により刺激脱離したアルカリハライド表面は照射量に応じて１原子層ずつ剥離するように脱離する。電子刺激脱離したKBr表面に15keVの陽子を斜入射し，表面原子の脱離周期に応じて振動する散乱強度を電子線のエネルギーや電流密度，試料の温度を変えて調べた。

イオンビームの照射により発生する二次電子を増幅するため、ステンレスメッシュを重ねたアセンブリを作成した。これらを用いて得られたデータをイオンならびに電子をステンレスにあてたときの二次電子放出と幾何学に基づいた考察を施すことによって，高度な数学を用いず，特殊な材料研究にも偏らず，一般理系向けにも役立つ研究テーマとした。